了解冷卻系統(tǒng)控制范圍和關(guān)鍵參數(shù)
冷卻塔是許多水系統(tǒng)中的關(guān)鍵組件，可在廣泛的技術(shù)和應(yīng)用中提供舒適性或過程冷卻。冷卻塔的設(shè)計和占地面積差異很大，但都有一個主要目標：從工藝或建筑系統(tǒng)中去除廢熱?？刂茀?shù)對于維護任何冷卻系統(tǒng)以提高水和能源效率、最大限度地延長設(shè)備預(yù)期壽命、減少危險和最大限度地減少停機時間至關(guān)重要。
在指定冷卻處理程序的控制范圍時，會考慮許多因素，例如系統(tǒng)設(shè)計、操作條件、補給水質(zhì)量、化學品進料和控制設(shè)備、現(xiàn)場監(jiān)測程序和處理化學品。在這些設(shè)計控制參數(shù)之外運行可能會導致以下問題：
增加運營、能源、水和維護成本
損壞冷卻和/或冷卻系統(tǒng)
導致系統(tǒng)故障
下表總結(jié)了常見的冷卻處理控制范圍及其對水處理程序的重要性。
| 樣本 | 測試 | 目的/糾正措施* | 結(jié)果 |
| 補充水 | 硬度和堿度 | 水源和水質(zhì)可能會發(fā)生變化。變化會影響控制冷卻系統(tǒng)結(jié)垢和腐蝕的控制限值。 | 意外的組成變化會導致冷卻/冷凝器系統(tǒng)中的水垢沉積或腐蝕 |
| 電導率 | 用于建立控制范圍以維持所需的濃度循環(huán)。 | 補充水的定期檢查確認了建立排放控制限值的基礎(chǔ)。 | |
| 氯化物 | |||
| 二氧化硅 | 如果補充氯化物太低而無法進行準確的現(xiàn)場測量或根據(jù)電導率重復(fù)檢查循環(huán)，則使用硅膠。 | ||
| 冷卻 塔水 |
電導率 | 這些參數(shù)用于監(jiān)控排放要求。如果低，應(yīng)減少出血。如果高，應(yīng)增加出血。請注意，增加流失會降低化學水平，而減少流失會增加化學水平。 | 低水平（過度流失）會浪費水和處理化學品，并可能導致腐蝕。高水平（不充分滲出）會導致水垢沉積和過度結(jié)垢。水垢沉積會導致冷卻系統(tǒng)故障。 |
| 氯化物 | |||
| 二氧化硅 | |||
| 抑制劑測試：鉬、磷酸鹽、膦酸鹽 | 如果低，則增加抑制劑產(chǎn)品的進料速度。如果高，降低進給速度。如果磷酸鹽需求顯著增加，檢查硬水。 | 低抑制劑含量會導致水垢沉積和腐蝕發(fā)生。高抑制劑水平會浪費化學品并可能導致膦酸鹽沉積。沉積物和腐蝕會導致冷卻系統(tǒng)故障。 | |
| 微生物檢測 | 定期測試以監(jiān)測殺菌劑計劃的有效性。高細菌計數(shù)：調(diào)整殺菌劑劑量和/或殺菌劑添加頻率。 | 高細菌數(shù)量和/或藻類積累會導致結(jié)垢、增加能源成本和過度腐蝕。 | |
| 鹵素（游離鹵素殘留） | 高鹵素殘留：降低鹵素供體產(chǎn)品的進料速度。低鹵素殘留：提高鹵素供體產(chǎn)品的進料速度。 | 低鹵素含量會導致微生物過度生長。高鹵素含量會導致抑制劑降解和過度腐蝕。 | |
| 酸堿度 | 通過適當?shù)呐欧牛ㄈ绻皇褂盟幔┗?pH 控制（如果使用酸）保持在推薦的范圍內(nèi)。 | 低 pH 值會導致腐蝕和鐵沉積，并導致設(shè)備故障。高 pH 值會導致傳熱區(qū)域結(jié)垢。 |
* 注意：列出的控制措施是通用的，可能是也可能不是滿足您獨特系統(tǒng)要求的最佳建議。始終咨詢您的水處理專家，以確定適當?shù)募m正措施。
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為了保護冷卻系統(tǒng)并保持熱交換表面清潔和無沉積物必須定期監(jiān)測和檢查工藝參數(shù)。
結(jié)論
有效的水處理是任何冷卻水系統(tǒng)和項目投資回報率的預(yù)防性維護計劃的關(guān)鍵部分。在確定新的水處理程序和關(guān)鍵工藝參數(shù)時，與經(jīng)驗豐富的解決方案提供商合作至關(guān)重要。
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